半導体は、殆どの場合シリコンから作られているが、最大で８，０００ボルトの電圧までしか耐えられず、高い電圧に耐えるには、半導体を複数つなぐ必要があった。

同研究グループは、熱に強い「炭化ケイ素」の結晶成長技術と加工技術、電界集中を緩和する構造の採用、および表面保護技術を集約、結晶を何層にも積み重ねる独自の技術で厚くて純度が高い膜をつくり半導体として使えないか、研究を重ねた結果、世界最高となる２万１，７００ボルトの電圧に耐えられる半導体の開発に成功した。

同グループでは、半導体を通過する際に発熱することで失われる電力も低く抑えられ、将来実用化できれば国内で原発１基から２基分の電力が節約できると説明している。
木本教授は「例えば変電所の設備を大幅に小型化し、効率を高めることができる。さらに性能を高める研究を進展させて、実用化を目指したい」としている。