アイコン 次世代半導体メモリ「MRAM」を日米20社東北大拠点に開発へ 遠藤哲郎教授

MRAM(磁気抵抗メモリ、magnetoresistive random access memory)は、磁気を利用した記憶素子。N-Sという磁力極性を利用した記憶媒体(磁気ディスク装置や磁気テープ装置など)ではなく、電子のスピンを メモリ素子として利用するスピントロニクスを採用している。
 パソコンやスマホで情報を一時的に貯める記憶装置として主流のDRAMと比べ、処理能力は10倍、消費電力は1割以下にできる。DRAMと違って電源を落としてもデータが消えないメリットもある。

<国際集積エレクトロニクス研究開発センター>
東北大と組んだ産学連携のプロジェクトが始動する。 東北大が11月27日に開設した「国際集積エレクトロニクス研究開発センター」(センター長・遠藤哲郎東北大教授)を拠点に、半導体関連の日米20社以上が技術を持ち寄り、高性能な次世代メモリ「MRAM」の共同開発を始める。
需要が膨らむスマートフォンなどデジタル機器向けなどに量産をめざす。同センターでは、年明けから開発を本格化させる。2016年度までに基礎技術の確立を目指す。

参加企業は、日本のエルピーダメモリを傘下におさめた米マイクロン・テクノロジーやルネサスエレクトロニクスのほか、製造装置大手の東京エレクトロン、日立製作所などが加わる。
 MRAMは、半導体メモリーで、世界大手の東芝や、韓国サムスン電子なども開発を急いでいる。

追、
東北大では、産業技術総合研究所と共同して、従来のX線非破壊検査では見られなかった半導体封止材中の欠陥を観測する方法を確立したと報じられていた。
X線位相法の一種を利用し、樹脂などの材料内部の微小な空洞やヒビといった欠陥を観測できるという。実験室レベルの小型なX線装置で撮影できるため汎用性が高く、生産現場での利用が可能。検査技術の向上や高いレベルの品質管理が見込める。企業などと連携して2~3年後の実用化を目指すとしている。
どっかの国のロケット命中確率は、4割から6割に向上したと喜んで報道されていた。米国では、軍事用に調達した半導体100万個以上がデタラメ半導体だったと報じられたこともあった。
国に関係なく、軍事用は特に精度の高い半導体を使用してもらいたいものだ。

[ 2013年11月29日 ]
モバイル
モバイル向けURL http://n-seikei.jp/mobile/
スポンサード リンク

コメント

関連記事

  • この記事を見た人は以下も見ています
  •  
  • 同じカテゴリーの記事です。
  •   


PICK UP

↑トップへ

サイト内検索