中国EUV光源システム開発 ５年以内に商品化へ
中国の朗道燧岩（上海）科技有限公司（Langdao Silex）は、２０２６年１０月上海で開催された第２６回中国国際工業博覧会で、極端紫外線（EUV）光源システムの試作機を初公開した。
同システムの国産化率は９０％に達し、主要部品の大半を独自開発したという。中国国内で開発が進むEUV光源技術の現状を示す成果として注目される一方、商用化には数百W の出力と安定した長時間稼働が必要となるが、まだ試作機の出力は１５ワット程度、解決すべき課題も多く残されている。
EUV極端紫外線露光装置は、線幅７ナノ以下の半導体を製造する場合の必須アイテムの半導体製造装置。
米バイデン政権が２０２２年、「中国製造２０２５」策に基づき成長著しい中国の半導体産業の成長を遅滞させるために、(オランダのASML製の)EUVの中国輸出を禁止させた(その後、韓国勢の中国工場はOK、また現在は７ナノ以上のEUV装置の中国輸出は可)。
半導体製造装置のEUV露光装置はオランダASMLの独壇場であるが、同社や外資は中+国企業にパテントを侵害されたとしても、中国政府から報復制裁されることから、パテント保有企業は黙認している。ただし、中国から輸出された場合は特許紛争となるケースもある。
EUV光源は、１．５ナノ・２ナノなど最先端半導体の製造に不可欠なEUV露光装置を構成する中核部品の一つである。
7nm以下の先端プロセスでは、EUV露光技術が重要な役割を担っている。
台湾のTSMLらの最先端のシステム半導体はすでに２ナノで製造されている。
中国にとって、海外企業が技術面で先行するEUV露光装置とその主要部品の国産化は、半導体製造技術の自立を進めるうえで重要な課題となっている。
今回、朗道燧岩が公開した試作機は、同社の説明によると、国産化率が９０％に達する。光源には、海外の主要メーカーと同じレーザー生成プラズマ（LPP）方式を採用しており、チップの露光試験に使用できるとしている。
同社は現在、「燧岩」「輝光」「天算」の３事業を展開。
「燧岩」はEUV光源システムの開発、
「輝光」は大出力CO₂軸流高速レーザー、(高出力化や安定性の向上に必要な基盤技術)
「天算」はプラズマシミュレーションソフトウエア
をそれぞれ手がけている。
こうした分野は、政府が動かずとも、ベンチャーキャピタルや投資会社が出資し、研究開発資金には事を欠いていない。
同社が、商用EUV露光装置を完成させるには、まだ３～５年かかるとみられている。すでに線幅２ナノはいろいろな面から限界に近く、こうした開発における頭脳面の蓄積は中国にとって大きい。
「朗道燧岩科技有限公司」は、
清華大学の気体放電プラズマ研究室発のベンチャー企業であり、２０２４年設立、創業者の王豪博士が率いている。
☆低出力EUV光源システム「FlintNano LPP-OXXO」の概要は、
駆動レーザー出力：1,000W、
レーザー繰り返し周波数：1～20kHz、
変換効率：2％超、
輝度：100W/mm²sr、
★EUV出力：15W超、(ASMLの出力は２５０Ｗ以上)
連続運転時間：100時間超、
プラズマサイズ：60μm、
プラズマ安定性：3％ RMS、
エネルギー安定性：５％
以上。
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