キャノン ナノインプリントリソグラフィを米TIE社に納品へ 半導体製造装置
キヤノンは、ナノインプリントリソグラフィ（以下、NIL）技術を使用した半導体製造装置「FPA-1200NZ2C」を、米国テキサス州にある半導体コンソーシアム「Texas Institute for Electronics」（TIE／公的な最新研究開発組織）へ９月２６日出荷した。
キヤノンは、これまでの投影露光技術とは異なる方式でパターンを形成するNIL技術を使用した半導体製造装置を世界で初めて実用化し、２０２３年１０月に「FPA-1200NZ2C」を発売した。
従来の投影露光装置は、ウエハー上に塗布されたレジスト（樹脂）に光を照射し回路を焼き付けるのに対し、NIL技術を使用した半導体製造装置は、ウエハー上のレジストに回路パターンを刻み込んだマスク（型）をハンコのように押し付けて回路パターンを形成する。
光学系という介在物がないため、マスク上の微細な回路パターンを忠実にウエハー上に再現でき、低消費電力・低コストで既存の最先端ロジック半導体製造レベルの５ナノノードにあたる最小線幅１４nmのパターン形成が可能。
TIEは「FPA-1200NZ2C」を導入し、オープンアクセス化された半導体の研究開発・試作施設の提供を行い、先端半導体の研究開発や試作品の製造等に活用、先端パッケージング技術を含む先端半導体技術の課題解決に貢献する。
TIEは２０２１年に設立された米国テキサス大学オースティン校が支援するコンソーシアムで、州政府・自治体、半導体企業、国立研究所等で構成されている。
TIEの戦略パートナーには、アドバンスト・マイクロ・デバイセズ（AMD）、アプライド・マテリアルズ、キヤノン、インテル、マイクロン・テクノロジー、レゾナックといった日米の半導体関連大手６社と、米航空・防衛システムのRTX（旧：レーダー・ミサイル開発のレイセオン）が名を連ねている。
TIEは今年７月１８日、国防高等研究計画局（DARPA）から８億４,０００万ドルの助成を受けると発表。TIEは、オープンアクセス可能な半導体の研究開発・試作施設を設立し、国防総省（DOD）がレーダーや衛星画像、無人航空機などに使用するための、より高性能で低出力、軽量かつ小型化された防衛システムの開発のための、３Dヘテロ集積技術（３DHI）の開発を目指す。
TIE施設は、産学官に開放され、防衛産業と半導体産業の双方を支える軍民両用（デュアルユース）のイノベーションを興すものと期待されている。これまでの同社に対する助成総額は１４億ドル（DARPA含む／約２０００億円）に及ぶ。
キヤノンは、今後もナノインプリント半導体製造装置に関する研究開発を進め、半導体製造技術の向上に貢献する。
以上、リリース
ＡＳＭＬを脅かすまでに成長してもらいたいものだ。
日本政府も巨額の銭を垂れ流し自己満足するのではなく、こうした機関・研究所などの組織に、次世代を担う半導体の研究開発人材を育成する投資を積極的に行ってもらいたいものだ。
日本は政府の議員や官僚が絡むとヒモが付き、ヒモ会社に投資し、まともな投資がなされない。
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