中国製造２０２５の半導体
中国は２０１５年に製造業育成方案を盛り込んだ「中国製造２０２５」戦略を策定、半導体の自給率を２０２０年までに４０％、２０２５年までに７０％まで引き上げるという「半導体崛起」を宣言した。
その後、グローバル半導体企業を相次いで買収合併し、２０１６年にはＤＲＡＭ工場２ヶ所とＮＡＮＤ工場１ヶ所を着工した。
現在、中国で使用されるＤＲＡＭの９５％以上がサムスン電子とSKハイニックスの韓国製品となっている。
特に、清華大学系の清華紫光集団（Ｔｓｉｎｇｈｕａ Ｕｎｉｇｒｏｕｐ）の子会社「長江ストレージ（ＹＭＴＣ）」は、２０１６年武漢新芯集成電路製造（ＸＭＣ）に２４０億ドル（約２兆６５００円）を投資して着工したＮＡＮＤ工場は２０１８年３２層３Ｄ ＮＡＮＤの試作品の製作に成功している。今年からは６４層ＮＡＮＤの生産を本格化する。
ＮＡＮＤは、東芝が開発した半導体、韓国のＳＫハイニックスが技術を盗んだことで知られる。そのＳＫハイニックスが現在の東芝メモリの株主でもあるという没落企業の節操のなさを目の当たりに見ることができる。
ＮＡＮＤの機能は、電源が切れると保存された資料が消えるＤＲＡＭやＳＲＡＭとは違い、電源がない状態でもデータが保存されるフラッシュメモリ。
スマートフォンやＰＣのメイン保存装置に使われ、モノのインターネット（ＩｏＴ）、ビッグデータ、自動運転車、人工知能（ＡＩ）の開発と共に需要が急増している。
ただ、ＤＲＡＭでは、マイクロンなどのファンドリーメーカー(受託生産会社)ＵＭＣ（聯華電子）が、中国の福建省晋華集成電路（ＪＨＩＣＣ／２０２５により福建省の地方政府が出資して新たに設立された会社）にマイクロンの製造技術を無許可で提供しているとして、マイクロンが米国の裁判所に提訴、その判決で特許権侵害と認定、米政府は２０１８年１０月、台湾のＵＭＣと中国のＪＨＩＣＣを米企業製製品およびサービスの提供を禁止する制裁を行った。
その結果、完成していたＪＨＩＣＣの工場は、米製半導体製造装置がセッティングされていたものの、メンテやサービスが受けられず、閉鎖状態に陥っている。
米国のSOX半導体指数は、昨年６月に、ここ１０年来のピークの１４６０Pを付けたものの１０月には米中貿易戦争の激化で反落して１０６０台を付けた。しかし、最近では米中貿易戦争の和解の動きと米経済の好調から１３００P台まで回復している。
ただ、半導体価格は下落が進み、半導体輸出で持っている韓国の輸出額を押し下げ続けている。
半導体製造工場の生産が急増し、世界経済の鈍化(中国の自動車の販売台数減、スマホの世界販売台数減、PCの出荷減)、データセンター企業の業績悪化など)から、下落が続いている。
半導体の製造実績もないＪＨＩＣＣの米制裁は昨年１０月であり、その後の上昇は、半導体価格指数は原油価格より相場師=ハゲタカ投資ファンドにより指数が左右されているようだ。
いずれにしろ中期トレンドでは、センサー含む半導体需要が大幅に上昇し続けることに間違いはない。すでに村田製作所のセラミックコンデンサはEV車両の生産増により急拡大している。
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