出資者
同社には、デンソー、三菱重工業、三井金属ＳＢＩファンド、未来創生ファンド（トヨタや三井住友銀行などの出資ファンド）、ＥｉｇｈｔＲｏａｄｓファンド、ＪＳＲ、合同会社MHIイノベーション推進研究所、（株）フジミインコーポレーテッド、フューチャーベンチャーキャピタルが運営するフェニックス投資事業有限責任組合、京銀リースキャピタル、（京大）イノベーション京都2016投資事業有限責任組合、日本政策投資銀行、しがぎん地方創生SDファンド投資事業有限責任組合、ダイキン工業、三洋化成工業などが出資市、これまでに５０億円あまりの出資金を受けている。

２０１６年、FLOSFIAは京都大学・藤田静雄教授、金子健太郎助教と共同で、世界で初めて、コランダム構造酸化ガリウム（α-Ga2O3）を用いた、電界効果型トランジスタ（MOSFET）のノーマリーオフ動作の実証に成功した。

２０１９年、パワー半導体「酸化ガリウム」で培った独自の半導体技術「ミストドライ®法」を用いて、セラミックス部品を作製することに成功した。

２０１９年、独自に開発を手掛ける新しい半導体「GaO®」（材料名α-Ga2O3:コランダム構造酸化ガリウム）を用いたノーマリーオフ動作するパワートランジスタ（MOSFET）において、先行する市販SiCの特性を大幅に超えるチャネル移動度72cm2/Vsを実現した。

２０２１年、小型・薄型・低電力損失で金型レスの新型パワーモジュールの開発を完了したことを発表した。