アイコン 東大の肥後友也准教授ら次世代磁性材料の反強磁性体に展望開く

次世代の不揮発性磁気メモリ開発へ道
研究ポイント
◆次世代磁性材料として世界的に注目が集まる反強磁性体において、試料形状によらず任意の方向に指向可能な巨大磁気応答を観測。
◆不揮発性磁気メモリ開発へつながる新たな多値記憶機能を実証。
◆デバイス形状の自由度が高く、磁場擾乱に強い異常ネルンスト熱流センサーを開発。

省電力・超高速・超高密度化が求められるビヨンド5G世代の磁気デバイスの中心素材として注目を集めている反強磁性体であるマンガン化合物Mn3Snにおいて、これまでデバイス作製の際に課題となっていた形状(形状磁気異方性)の影響を受けずに、全方向へ指向可能な巨大磁気応答を得られるという特性を見いだした。
また、この特性を用いて、次世代のメモリ開発に有用な新たな多値記憶機能の実証や、デバイス形状の自由度が高く、外部磁場擾乱に強い異常ネルンスト熱流センサーの開発に成功した。

 

反強磁性体は
1、スピンのダイナミクスがTHz帯と強磁性体の場合に比べて2-3桁ほど早い、
2、漏れ磁場を作らない、
3、材料選択の自由度が高い、という特性を持ちます。そのため、既存の磁気デバイスで用いられている強磁性体を代替することで、デバイスのさらなる高速・高密度化が期待できます。今回本研究グループが実証した。
4、形状磁気異方性が無視できるほど小さく、デバイス形状の自由度が高い、という特性は、上記1~3の特性と併せて、反強磁性体を用いた次世代の磁気デバイス開発にブレークスルーをもたらすことが期待できるとしている。
以上、

基礎研究・製品化研究開発・商品化までのプロセスチェーンが日本の企業における研究開発力の後退から寸断されている。小泉政権以降、横並びのサラリーマン経営者らにより企業の聖域なき削減により、企業の飯の種の開発研究者さえ大幅削減し続けてきた結果である。日本の大手製造業の品質不正問題もそこに帰結している。代表格である三菱の製造業各社は今や看板倒れで、親方日の丸の戦艦しか造れない。

 

[ 2021年2月26日 ]

 

 

 


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